1. 반도체 메모리 (Semiconductor Memory)
ㅇ 반도체 기술에 의해 만들어진 메모리 소자
2. 반도체 메모리 구분
ㅇ Access 방법
- SAM (Sequential Access Memory) : Magnetic Tape 등
- RAM (Random Access Memory) : 거의 모든 반도체 메모리
ㅇ 전원을 끄고도 정보가 지워지지 않는지 여부
- 휘발성 (Volatile) RAM : 전원 공급 중단되면 데이터 소실 (고속)
. SRAM (Static RAM) : 트랜지스터 구조를 메모리셀로 사용
.. 전원 공급 동안에는 저장 내용 그대로 유지
. DRAM (Dynamic RAM) : 트랜지스터,커패시터 구조를 메모리 셀로 사용
.. 주기적 Refresh 필요
.. 구분 : SDRAM (Synchronous Dynamic RAM), RDRAM (Rambus DRAM),
DDR SDRAM (DDR2, DDR3, DDR4)
- 비휘발성 (Non-volatile) ROM : 전원 공급 중단되어도 데이터 소실 없음 (저속)
. OTP (One Time Prgrammable ROM) : 처음 한번만 쓰기 가능
. PROM (Prgrammable ROM) : 여러번 쓰고 지우기 가능 (EEPROM, EPROM, Flash Memory)
. 플래시 메모리 : 개인용 휴대기기에서 2차 메모리(보조기억장치)로써 많이 사용됨
- 비휘발성(Non-volatile) RAM (NVRAM) : 비휘발성이나 RAM 속도 가능 (중속)
. FeRAM
. FRAM
. MRAM : 자화 방향이 주위와 반대인 자기 버블(기포) 현상을 메모리에 이용한 것
.. 보통의 반도체 메모리에 비해 대용량화,비휘발성,구동부분이 없는 등 유리
3. 반도체 메모리 관련 주요 용어
ㅇ 메모리 셀 (Memory Cell) : 메모리 칩 내부의 단위 1 비트를 저장하는 소자
ㅇ 메모리 워드 (Memory Word) : 한번에 읽고쓸수있는 비트 그룹(8 비트,64 비트 등)
ㅇ 저장 용량/밀도 (Memory Capacity) : 메모리 칩 하나에서 저장할 수 있는 총 비트 수
ㅇ 메모리 뱅크 (Memory Bank) : 기억장치를 분할시켜 각각 독립적으로 접근할 수 있는
논리적으로 구성되는 단위