재결합 방식 구분, 직접 천이, 간접 천이

1. 생성 및 재결합 방식 구분

  ㅇ 반도체 내의 전하캐리어는 매우 다양한 방식으로 생성되고 소멸됨

  ㅇ 여기서, 생성 과정과 재결합 과정은, 서로의 역과정으로 해석 가능


2. 직접 재결합 (Direct Recombination), 직접 생성 (Direct Generation)

  

  ㅇ 전자-정공 쌍(EHP) 재결합
     - 에너지갭 만큼의 광자 방출 (Photogeneration)          ☞ 자연방출 참조

  ㅇ 전자-정공 쌍(EHP) 생성                                 ☞ 흡수 참조
     - 충분한 에너지를 갖는( > Eg) 외부 광자에 의해 에너지를 받아 
       가전자대에 정공을 남기고 전도대로 전자 천이

  ㅇ 직접 천이형 반도체 : GaAs, GaN 등과 같은 화합물 반도체
     - LED 등과 같은 발광소자에 응용


3. 간접 재결합 (Indirect Recombination)

  ㅇ 금지대 중앙에 위치하는 에너지준위를 통한 2단계 
     - 이 준위를 재결합센터(징검다리) 라고 불리움
        . `불순물(Au,O,Cr) 주입` 또는 `결정 결함` 또는 `기타 불순물 원자` 등에 의함

  ㅇ 간접 천이형 반도체 : Si,Ge 등

  


4. 오제 재결합 (Auger Recombination)

  ㅇ 2개의 유사 캐리어 사이에 충돌과 동시에 직접 재결합 발생


5. 충돌 이온화 (Impacrt Ionization)

  ㅇ 애버런치 생성의 원인

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