Tunnel Diode   터널 다이오드

1. 터널 다이오드

  ㅇ 양자 터널링(Tunneling)
     - 양자적인 입자의 경우에, 에너지 장벽인 전위장벽에 반사 만 하지 않고,
       장벽 두께가 작으면 이를 투과할 유한한 확률이 있음

  ㅇ 터널 다이오드 구조
     - n,p 영역 모두 축퇴적으로(Degenerately),
     - 즉, 매우 높게 도핑된, 반도체 pn 접합

  ㅇ 부성 저항 특성 때문에,
     - 과거 잠시동안 초고주파 발진기에 사용되었으나,
     - 부성 저항 가능 범위가 작아 지금은 거의 사용 안함

  ㅇ 초 고속 동작 특성

   

  ※ [참고] ☞ 다이오드 종류 참조

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