1. 도핑 (Doping)
ㅇ 조절된 양의 불순물 도펀트를 반도체에 넣는 과정
2. 도핑의 구분
ㅇ 도핑 종별 구분 : p형, n형, 보상 ☞ 불순물 반도체 참조
- n형 반도체 : 전자가 많음, 5가 원소 불순물, P (15), As (33), Sb (51) 등
- p형 반도체 : 정공이 많음, 3가 원소 불순물, B (5), Al (13), In (49) 등
ㅇ 도핑 정도 구분 : 고 농도 도핑 (Si 경우, > 1020), 저 농도 도핑
ㅇ 도핑 공정 구분 : 확산 공정, 이온 주입 공정
ㅇ 도핑 대상 구역 : 모재(Substrate), p-well, n-well 등
3. 도핑의 특징
ㅇ 여러차례 반복되는 공정
- 회로 역할에 따라, 여러 다른 구역이 필요하므로, 도핑 과정은 여러차례 반복하여 이루어짐
- 도핑으로 형성된 구역의 종류 및 농도에 따라, 동작 특성이 달라짐
. (例:n형 반도체,p형 반도체 등)
4. 도핑 영역 간의 구분
ㅇ 비 도핑 영역과의 구획 구분을 위한 보호막 (Masking)
- 보통, 산화막(SiO₂) 사용