Inversion Layer   반전층

1. 반전층

  ㅇ MOS 커패시터(또는 MOSFET 등)에서,
     - 큰 양의 전압(문턱전압)을 인가할 때,
     - 기판(Body)과는 달리, 경계면 상에서는,
     - 전도대 Ec가 가전자대 Ev 보다 페르미준위 EF에 더 근접 함
     - 이에따라, p형이 n형 또는 n형이 p형 반도체로 반전(역전)되는 층이 나타남

        

  ※ [참고] ☞ MOSFET 전도채널 참조
     - MOSFET에서, 인가된 게이트 전압으로, 산화막(SiO2) 바로아래 수직 전기장에 의해 형성된,
     - 소스,드레인 간에 전도성 및 일정 저항을 갖는 얇은 층(1~2 nm 정도)

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